5nm芯片即将量产，3nm芯片技术正在紧急研发中-互联网专区

　　近日，台积电CEO魏哲家在一次电话会议中指出，台积电将在今年上半年大规模生产5nm芯片，并投放市场进入商用领域，并将在今年四月份向媒体透露有关3nm芯片的相关信息。

　　据外媒爆料，台积电将从今年下半年开始生产5nm的A14芯片，芯片内包含了150亿个晶管体，而A14芯片和华为的下一代旗舰芯片麒麟1020将是台积电首批生产的芯片。

　　在台积电准备量产5nm芯片的同时，三星已经在研发性能更好的3nm芯片。根据去年在日本举行的三星铸造论坛，三星表示相比目前的7nm芯片，3nm芯片将提供35%的改进性能以及减少50%的能耗。据内部人员透露，三星最早将于明年开始大规模生产3nm芯片。

　　同时，台积电也不甘示弱。据TechNode报道，台积电共投资了195亿美元，计划在台南南台科技园建设一家生产3nm芯片的工厂，该工厂将与台积电的5nm芯片工厂并列。不出意外的话该工厂将于今年开工建设并投入使用。

　　就在台积电投资建厂的同时，为了尽快达到生产3nm芯片所需要的标准，三星已经放弃使用FinFET晶体管，转而使用MBCFET（多桥通道场效应管)技术来改善晶体管性能，该技术与FinFET晶体管制造工艺兼容，这将使三星更快、更容易地向3nm过渡。

　　相比之下，台积电仍在犹豫是否要继续使用FinFET晶体管，还是像三星那样采用GAA晶体管。台积电CEO魏哲家在财报分析师电话会议中指出，将会在今年4月29日举行的台积电北美技术研讨会期间，向媒体透露更多有关3nm芯片的生产技术与工艺的细节。

　　无论如何，作为全球最大的两家芯片代工厂，台积电和三星的竞争会使得芯片技术不断发展进步，而这种良性竞争，无疑将成为智能电子产品发展的重要保障。

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