DNK1102W_技术文档表面贴装IRED /内蒙古镜头类型Surface Mount IRED/I
温度85 °C最低工作温度-30 °C峰值波长865 n...
2023-01-23 01:28:30
DNK3803X_技术文档_半导体_光电_通孔IRED / 3高速，总输出功率类型Through-h
;C光电设备类型INFRARED LED标称输出功率25 mW峰值波长870 n...
2023-01-23 01:28:30
DNK1111C_技术文档表面贴装IRED / 1608 （T = 0.7 mm）型号Surface
温度85 °C最低工作温度-30 °C峰值波长865 n...
2023-01-23 01:28:29
DNK1111R_技术文档表面贴装IRED /反安装型Surface Mount IRED/Reve
温度85 °C最低工作温度-30 °C峰值波长865 n...
2023-01-23 01:28:17
SGA-5486_技术文档_半导体_放大器_射频_微波_DC -2400 MHz的3.5V SiGe
SGA-5486_技术文档_半导体_放大器_射频_微波_DC -2400 MHz...
2023-01-23 01:27:55
SGA-5486-TR2_技术文档_半导体_放大器_射频_微波_DC -2400 MHz的3.5V
SGA-5486-TR2_技术文档_半导体_放大器_射频_微波_DC -2400...
2023-01-23 01:27:51
SGA-5486-TR1_技术文档_半导体_放大器_射频_微波_DC -2400 MHz的3.5V
SGA-5486-TR1_技术文档_半导体_放大器_射频_微波_DC -2400...
2023-01-23 01:27:50
SLD111V_技术文档_光电_半导体_Laser Diode, 780nm, 3 PIN
度-10 °C光电设备类型LASER DIODE标称输出功率5 mW...
2023-01-23 01:22:32
SLD303W3_技术文档_光电_半导体_Laser Diode, 830nm
176;C最低工作温度-10 °C光电设备类型LASER DIODE...
2023-01-23 01:22:28
SLD104BUL_技术文档_光电_半导体_Laser Diode, 780nm, M-259, 3
-10 °C光电设备类型LASER DIODE标称输出功率10 mW...
2023-01-23 01:22:24